| 龍璽精密-高壓VGF單晶爐-可非標(biāo)定制 |
高壓VGF單晶爐是制備II一VI族和III一V族化合物半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵設(shè)備。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體磷化銦(nP) 、磷化鎵(GaP)等材料的單晶生長。
高壓VGF單晶爐設(shè)備特點：
高壓爐體采用無縫碳鋼鋼管制造，品牌壓力容器資質(zhì)廠家設(shè)計生產(chǎn)，可承受5倍工藝壓力，并有減壓閥，在超過6MPa時自動降壓，降壓口氣體做隔氧處理。
爐體底部有水冷降溫結(jié)構(gòu)，可以增強坩堝支撐結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱，利于晶體生長。
爐體設(shè)備有吸震機構(gòu)，可以有效把電阻絲通大電流時的震動有效減除，有利于層錯能弱的晶體生長。
爐體支架裝有手動調(diào)節(jié)系統(tǒng)，方便裝取料時對爐體的調(diào)節(jié)。
增壓系統(tǒng)采用進(jìn)口增壓泵、壓力平衡控制系統(tǒng)、氮氣瓶組成。精度高，反應(yīng)靈敏，可編程工藝增壓與減壓。并設(shè)有壓力極限報警。
高精度溫度控制系統(tǒng)，提升工藝成品率。
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