第三代半導(dǎo)體材料及其應(yīng)用是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)新高地，目前我國(guó)正迎來(lái)發(fā)展第三代半導(dǎo)體的重要窗口期。功率半導(dǎo)體從原材料到設(shè)計(jì)、晶圓制造加工裝備、封測(cè)，正加速實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化。雖然我國(guó)已發(fā)展成為全球第一大功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，但國(guó)產(chǎn)自給率較低，行業(yè)仍存巨大供需缺口，國(guó)產(chǎn)替代將是未來(lái)重要的發(fā)展方向。
為了更好的把握時(shí)機(jī)推進(jìn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，打破功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在材料與裝備、芯片制造、封裝模組、系統(tǒng)應(yīng)用等環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化主要技術(shù)瓶頸，引領(lǐng)技術(shù)及市場(chǎng)風(fēng)向，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)在南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下，定于2021年9月13-14日在南京召開(kāi)“2021中國(guó)（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)（CASICON 2021）”。會(huì)議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G 射頻領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)展與創(chuàng)新應(yīng)用，助推相關(guān)領(lǐng)域市場(chǎng)產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化替代，屆時(shí)邀請(qǐng)行業(yè)眾多技術(shù)及應(yīng)用專家進(jìn)行研究、分享、交流。誠(chéng)摯歡迎各研究院所、高校、產(chǎn)業(yè)鏈企事業(yè)單位參與討論。
會(huì)議時(shí)間：2021年9月13-14日
會(huì)議地點(diǎn)：南京·城市名人酒店（江蘇省南京市鼓樓區(qū)中山北路30號(hào)）
聯(lián)系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
張小姐13681329411，zhangww@casmita.com
附件：會(huì)議資料
一、組織機(jī)構(gòu)：
指導(dǎo)單位
南京大學(xué)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
主辦單位
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 公號(hào)
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
贊助支持單位
藍(lán)雨軟件技術(shù)開(kāi)發(fā)(上海)有限公司
愛(ài)發(fā)科商貿(mào)(上海)有限公司
寧波恒普真空技術(shù)有限公司
蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司
青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
德儀國(guó)際貿(mào)易(上海)有限公司
大族激光顯示與半導(dǎo)體裝備事業(yè)部
上海翱晶半導(dǎo)體科技有限公司
上海智湖信息技術(shù)有限公司
蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司
湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司
二、會(huì)議背景：
以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優(yōu)異特性，因其在國(guó)防安全、智能制造、產(chǎn)業(yè)升級(jí)、節(jié)能減排等國(guó)家重大戰(zhàn)略需求方面的重要作用，正成為世界各國(guó)競(jìng)爭(zhēng)的技術(shù)制高點(diǎn)。但受工藝、成本等因素限制，多年來(lái)僅限于小范圍應(yīng)用。
近年來(lái)，隨著材料生長(zhǎng)、器件制備等技術(shù)的不斷突破，第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)并正在打開(kāi)應(yīng)用市場(chǎng)： SiC肖特基二極管器件開(kāi)始應(yīng)用于新能源汽車及高端電源市場(chǎng)，包括PFC、光伏逆變器和高端家電變頻器等，GaN快速充電器也大量上市。未來(lái)5-10年是全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的加速發(fā)展期，基于第三代半導(dǎo)體材料的功率半導(dǎo)體器件將廣泛應(yīng)用于5G基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)景，也是我國(guó)能否實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)自主可控的關(guān)鍵期，2021中國(guó)（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用。
由于功率半導(dǎo)體器件在實(shí)現(xiàn)電能高效利用、節(jié)能減排、建設(shè)資源節(jié)約型社會(huì)方面發(fā)揮著不可替代的作用。國(guó)家各級(jí)政府紛紛出臺(tái)政策護(hù)航產(chǎn)業(yè)發(fā)展，一批針對(duì)性扶持措施開(kāi)始顯效，將會(huì)不斷推動(dòng)功率半導(dǎo)體器件行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步，形成先進(jìn)技術(shù)的自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)，優(yōu)化國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。
功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費(fèi)電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場(chǎng)，市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。隨著5G帶來(lái)的萬(wàn)物互聯(lián)及基地臺(tái)、數(shù)據(jù)中心數(shù)量的迅速增長(zhǎng)，以及汽車電子化程度的持續(xù)提升，帶動(dòng)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)較快增長(zhǎng)。
在新能源汽車應(yīng)用以及PD快充市場(chǎng)爆發(fā)的強(qiáng)力帶動(dòng)下，2020年國(guó)內(nèi)SiC、GaN電力電子器件市場(chǎng)規(guī)模較上年同比增長(zhǎng)90%，未來(lái)5年將以45%的復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng)至300億。根據(jù)CASA Research第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報(bào)告（2020）表明：2020年我國(guó)第三代半導(dǎo)體電力電子與射頻總產(chǎn)值已經(jīng)超過(guò)100億元 。SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規(guī)模達(dá)44.7億元，同比增長(zhǎng)54%；GaN微波射頻產(chǎn)值達(dá)到60.8億元，同比增長(zhǎng)80.3%。“十四五”科技計(jì)劃中將建設(shè)“面向大數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的GaN基高效功率電子，應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心電源的GaN電力電子器件”提上日程，未來(lái)這個(gè)市場(chǎng)將迎來(lái)高速增長(zhǎng)。
隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步突破行業(yè)內(nèi)高端產(chǎn)品的核心技術(shù)，我國(guó)功率半導(dǎo)體器件對(duì)進(jìn)口的依賴將會(huì)減弱，進(jìn)口替代的市場(chǎng)機(jī)遇逐漸顯現(xiàn)。功率半導(dǎo)體器件是國(guó)民經(jīng)濟(jì)中各行業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)元器件，其技術(shù)進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的拓寬既能夠促進(jìn)工業(yè)的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級(jí)，也為居民生活帶來(lái)更多便利和舒適。
目前，第三代半導(dǎo)體材料及其應(yīng)用是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)新高地，目前我國(guó)正迎來(lái)發(fā)展第三代半導(dǎo)體的重要窗口期。功率半導(dǎo)體從原材料到設(shè)計(jì)、晶圓制造加工裝備、封測(cè)，幾乎可以實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化。雖然我國(guó)已發(fā)展成為全球第一大功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，但國(guó)產(chǎn)自給率較低，行業(yè)仍存巨大供需缺口，國(guó)產(chǎn)替代將是未來(lái)重要的發(fā)展方向。
為了更好的把握時(shí)機(jī)推進(jìn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，打破功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在材料與裝備、芯片制造、封裝模組、系統(tǒng)應(yīng)用等環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化主要技術(shù)瓶頸，引領(lǐng)技術(shù)及市場(chǎng)風(fēng)向。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)在南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟等單位的指導(dǎo)下，擬定于2021年在南京組織召開(kāi)“2021功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)（CASICON 2021）” 邀請(qǐng)行業(yè)眾多技術(shù)及應(yīng)用專家進(jìn)行研究、分享、交流。歡迎各研究院所、高校、產(chǎn)業(yè)鏈企事業(yè)單位參與討論。
三、會(huì)議安排：
四、報(bào)告嘉賓&主題報(bào)告：
1、9月13日?qǐng)?bào)告（陸續(xù)更新中）
嘉賓：于坤山--第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)
報(bào)告：中國(guó)功率與射頻技術(shù)市場(chǎng)現(xiàn)狀及未來(lái)展望
嘉賓：陳堂勝--中國(guó)電科首席科學(xué)家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任
報(bào)告：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
嘉賓：陳敦軍--南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授
報(bào)告：GaN功率開(kāi)關(guān)器件及其高頻電源應(yīng)用
嘉賓：劉斯揚(yáng)--東南大學(xué)教授
報(bào)告：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展
嘉賓：龍世兵--中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)
報(bào)告：低成本高性能氧化鎵半導(dǎo)體功率器件
嘉賓：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
報(bào)告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
嘉賓：戴小平-湖南國(guó)芯科技總經(jīng)理
報(bào)告：淺析SiC模塊封裝技術(shù)
嘉賓：Yuhao Zhang 美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理研究員
報(bào)告：1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
嘉賓：龔平--西安唐晶量子科技有限公司董事長(zhǎng)
報(bào)告：6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射頻外延技術(shù)
嘉賓：紐應(yīng)喜--啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)
報(bào)告：碳化硅外延裝備及技術(shù)進(jìn)展
嘉賓：張 云--天津大學(xué)電氣自動(dòng)化與信息工程學(xué)院教授
報(bào)告：新能源汽車電力電子系統(tǒng)及其運(yùn)行控制
2、9月14日?qǐng)?bào)告（陸續(xù)更新中）
嘉賓：程新紅--中科院上海微系統(tǒng)研究所研究員
報(bào)告：SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)
嘉賓：鄧小川--電子科技大學(xué)教授
報(bào)告：極端應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET的動(dòng)態(tài)可靠性研究
嘉賓：張之梁--南京航空航天大學(xué) 教授
報(bào)告：1kV寬禁帶LLC變換器控制與應(yīng)用
嘉賓：惠 峰--云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家/中科院半導(dǎo)體所研究員
報(bào)告：VCSEL用六英寸超低位錯(cuò)密度砷化鎵單晶片研制及應(yīng)用
嘉賓：陳 鵬--南京大學(xué)教授
報(bào)告：GaN肖特基功率器件新進(jìn)展
嘉賓：Yuhao Zhang 美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理教授
報(bào)告：Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices
嘉賓：倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經(jīng)理
報(bào)告：高性能高壓碳化硅功率器件設(shè)計(jì)與技術(shù)
嘉賓：李 強(qiáng)--西安交通大學(xué)副教授
報(bào)告：基于HBN 的射頻器件
嘉賓：吳 彤--安森美首席SiC 專家
報(bào)告：Adopt of SiC devices in EV applications
嘉賓：吳 亮--奧趨光電CEO
報(bào)告：AlN/AlScN材料制備技術(shù)及其在5GRFFE濾波及功率器件等領(lǐng)域應(yīng)用前景展望
嘉賓：張保平--廈門(mén)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院 副院長(zhǎng)、教授
報(bào)告：氮化鎵基VCSEL技術(shù)進(jìn)展
嘉賓：蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
報(bào)告：金剛石微波功率器件研究
嘉賓：左 超--愛(ài)發(fā)科商貿(mào)（上海）有限公司電子營(yíng)業(yè)部部長(zhǎng)
報(bào)告：量產(chǎn)高性能功率與射頻器件的ULVAC裝備技術(shù)
嘉賓：裴軼/Amgad Alsman--蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司技術(shù)副總裁/中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
報(bào)告：基于物理的5G射頻GaN 晶體管模型、趨勢(shì)和挑戰(zhàn)
嘉賓：王祁玉--益豐電子副總經(jīng)理
報(bào)告：射頻器件（TBD）
嘉賓：袁 理--青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
報(bào)告：面向快充應(yīng)用的GaN材料和器件技術(shù)
嘉賓：劉 雯--西交利物浦大學(xué)副教授
報(bào)告：硅基GaN MIS-HEMT 單片集成技術(shù)
嘉賓：黃潤(rùn)華--中電科五十五所副主任設(shè)計(jì)師
報(bào)告：碳化硅MOSFET技術(shù)問(wèn)題及55所產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)展
嘉賓：英諾賽科科技股份有限公司
報(bào)告：八英寸硅基氮化鎵技術(shù)進(jìn)展（TBD）
嘉賓：葉建東--南京大學(xué)教授
報(bào)告：氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究
嘉賓：彭 燕--南砂晶圓研發(fā)中心主任，山東大學(xué)副教授
報(bào)告：碳化硅與金剛石單晶襯底技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化研究
嘉賓：葉念慈--三安集成技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān)
報(bào)告：（TBD）
嘉賓：童吉楚--乾照激光副總經(jīng)理
報(bào)告：VCSEL 技術(shù) (TBD)
嘉賓：向鵬博士--蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司研發(fā)經(jīng)理
報(bào)告：用于新型GaN功率器件的外延技術(shù)進(jìn)展
嘉賓：楊學(xué)林--北京大學(xué)物理學(xué)院高級(jí)工程師
報(bào)告：Si襯底上GaN基電子材料外延生長(zhǎng)技術(shù)研究進(jìn)展
嘉賓：Yuhao Zhang 美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理教授
報(bào)告：Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching
嘉賓：徐尉宗--南京大學(xué)研究員
報(bào)告：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)
嘉賓：郭宇鋒--南京郵電大學(xué)副校長(zhǎng)、教授
報(bào)告：Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
嘉賓：樊嘉杰--復(fù)旦大學(xué)青年研究員
報(bào)告：SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)
更多報(bào)告嘉賓正在確認(rèn)中！！！
擬參與單位：華為、中興、南京大學(xué)、三安光電、東南大學(xué)、英諾賽科、鍇威特、泰科天潤(rùn)、基本半導(dǎo)體、捷捷微電、中微公司、蘇州納維、廈門(mén)大學(xué)、南砂晶圓、瀚天天成、蘇州晶湛、云南鍺業(yè)、Crosslight、英飛凌、GaNPower、安森美、許繼電氣、中車時(shí)代、國(guó)家電網(wǎng)、中芯集成、華潤(rùn)微電子、南大光電、AIXTRON、中電科五十五所、中電科十三所 西安電子科技大學(xué)、江蘇能華、西安交通大學(xué)、北京大學(xué)，電子科技大學(xué)，河北同光、山東天岳、天津大學(xué)、聚能創(chuàng)芯，賽微電子，南京百識(shí)，唐晶量子，天科合達(dá)，漢驊半導(dǎo)體，大族激光，德儀，江蘇三代半研究院等
投稿 ：Oral或Poster ：500字左右擴(kuò)展摘要提交到 1957340190@qq.com。
參會(huì)注冊(cè) ：注冊(cè)費(fèi) 2000元 （會(huì)議資料，招待晚宴，自助餐）
開(kāi)戶行：中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行
賬 號(hào)：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
參會(huì)/贊助/商務(wù)合作：
聯(lián)系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
聯(lián)系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
張小姐13681329411，zhangww@casmita.com
協(xié)議酒店：城市名人酒店（協(xié)議價(jià)400元，含早）
聯(lián)系人：王瑋18652978537，648231476@qq.com
防疫提示：會(huì)務(wù)組最新咨詢南京市衛(wèi)健委并得到答復(fù)，目前南京市全域均為低風(fēng)險(xiǎn)區(qū)，進(jìn)出南京不需要核酸檢測(cè)證明，只要14天內(nèi)未曾去過(guò)中高風(fēng)險(xiǎn)區(qū)和出入境經(jīng)歷，體溫?zé)o異常情況下，均可持綠碼進(jìn)出南京參加會(huì)議。
聯(lián)系人：王瑋18652978537，648231476@qq.com
防疫提示：會(huì)務(wù)組最新咨詢南京市衛(wèi)健委并得到答復(fù)，目前南京市全域均為低風(fēng)險(xiǎn)區(qū)，進(jìn)出南京不需要核酸檢測(cè)證明，只要14天內(nèi)未曾去過(guò)中高風(fēng)險(xiǎn)區(qū)和出入境經(jīng)歷，體溫?zé)o異常情況下，均可持綠碼進(jìn)出南京參加會(huì)議。
